vguitВестник Воронежского государственного университета инженерных технологийProceedings of the Voronezh State University of Engineering Technologies2226-910X2310-1202VSUET10.20914/2310-1202-2013-3-55-61vguit-625Research ArticleИнформационные технологии, моделирование и управлениеInformation technologies, modeling and managementКВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ АМОРФНОЙ ТЕТРАЭДРИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫQUANTUM-CHEMICAL MODELING OF THE ELECTRONIC PROPERTIES OF AMORPHOUS TETRAHEDRAL STRUCTUREГолоденкоБ. А.GolodenkoB. A.

Профессор, кафедра информационных и управляющих систем

vestnikvgta@mail.ruГолоденкоА. Б.GolodenkoA. B.

Кандидат физико-математических наук, кафедра информационных и управляющих систем

vestnikvgta@mail.ruВоронежский государственный университет инженерных технологийRussian Federation201307122015035561Copyright © Голоденко Б.А., Голоденко А.Б., 20132013Голоденко Б.А., Голоденко А.Б.Golodenko B.A., Golodenko A.B.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.vestnik-vsuet.ru/vguit/article/view/625

На примере атомной ячейки аморфного кремния рассмотрены методика и результаты применения средств и методов квантовой химии для моделирования электронных свойств локальной атомной структуры твёрдого тела. Показано значение матрицы плотности состояний для практической оценки и расчёта электронных свойств полупроводника по результатам квантово-химического моделирования фрагмента его атомной структуры.

On an example of a nuclear cell of amorphous silicon the technique and results of application of means and methods of quantum chemistry for modelling electronic properties of local nuclear structure of a firm body are considered. Value of a matrix of density of conditions for a practical estimation and calculation of electronic properties of the semiconductor by results of quantumchemical modelling a fragment of its nuclear structure is shown.

квантовая химияэнергетическое состояниеаморфная структураматрица плотностиReferencesХамакава, Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе [Текст] / Й. Хамакава. – М.: Металлургия, 1986. - 376 с.Hamakava , J. Amorphous semiconductors and devices based on them [Text] / J. Hamakava . – M.: Metallurgiya , 1986 . - 376 p .Терехов, В.В. Исследование локальной электронной и атомной структуры в аморфных сплавах a-SixC1-x методом ультрамягкой рент- геновской спектроскопии [Текст] / В.В. Терехов, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова и др. // Физика и техника полупроводников. – 2005. - № 7 (39). – С. 863-867.Terekhov , V.V. Investigation of the local electronic and atomic structure in amorphous a- SixC1-x by ultrasoft X-ray spectroscopy [ Text] / V.V. Terekhov, E.I. Terukov, I.N. Trapeznikova et al // Semiconductors. - 2005 . - № 7 (39). - P. 863-867 .Голоденко, А. Б. Фрактальное моделирование атомной структуры аморфного кремния на основе систем итерированных функций [Текст]/ А.Б. Голоденко // Инженерная физика. - 2009. - № 8. – С. 27-30.Golodenko , A.B. Fractal modeling of the atomic structure of amorphous silicon -based iterated function systems [Text] / A. B. Golodenko // Engineering physics. - 2009 . - № 8. - P. 27-30 .Голоденко, А.Б. Фрактальное моделирование механизма порождения аморфности тетраэдрической атомной структуры [Текст] / А.Б. Голоденко, Б.А. Голоденко // Нано- и микросистемная техника. – 2012. -№11.–С. 23-27.Golodenko , A.B. Fractal modeling of the mechanism of generation of tetrahedral amorphous atomic structure [Text] / A.B. Golodenko, B.A. Golodenko // Nano- and microsystems. - 2012 . - № 11.-P. 23-27 .Голоденко, А.Б. Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния [Текст] / А.Б. Голоденко // Физика и техника полупроводников. – 2010. - №1 (44). – С. 87-91.Golodenko, A.B. Evaluate the adequacy of the fractal model of the atomic structure of amorphous silicon [Text] / A.B. Golodenko // Semiconductors . - 2010 . - № 1 (44). - P. 87-91 .Барановский, В. И. Квантовая механика и квантовая химия [Текст]: учебное пособие / В.И.Барановский. – М.: Издательский центр «Академия», 2008. – 384 с.Baranovsky, V.I.Quantum mechanics and quantum chemistry [Text]: a textbook / V.I. Baranovsky. - M: Publishing Center "Academiya", 2008. - 384 p .Блатов, В.А. Полуэмпирические расчётные методы квантовой химии [Текст]: учебное пособие / В.А. Блатов, А.П. Шевченко, Е.В. Пересыпкина. – Самара: Изд-во «Универс-групп», 2005. – 32 с.Blatov, V.A. Semi-empirical methods for the even distribution of quantum chemistry [Text]: a textbook / V. A. Blatov, A.P. Shevchenko, E.V. Peresypkina . – Samara: Publishing House "Univers- group", 2005. - 32 p.Ермаков, А.И. Квантовая механика и квантовая химия [Текст]: учебное пособие / А.И.Ермаков. – М.: ИД Юрайт, 2010. – 555 с.Ermakov, A.I. Quantum mechanics and quantum chemistry [Text]: a textbook / A.I. Ermakov. – M.: PH Yurayt, 2010. - 555 p.Блум, К. Теория матрицы плотности и её приложения [Текст] / К. Блум. – М.: Мир, 1983. —248 с.Blum, K. Density matrix theory and its applications [Text] / K. Bloom. –M.: Mir, 1983. -248 p.Минкин, В.И. Теория строения молекул [Текст] / В.И. Минкин, Б.Я. Симкин, Р.М. Миняев. - Ростов-на-Дону: «Феникс», 1997 – 560 с.Minkin, V.I. The theory of the structure of molecules [Text] / V.I. Minkin, B.J. Simkin, R.M. Minyaev. - Rostov- on-Don: " Phoenix", 1997 - 560 p.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.