МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И РАСЧЁТ ОСНОВНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ
https://doi.org/10.20914/2310-1202-2014-2-65-70
Аннотация
Реферат. Уникальные технологические свойства аморфных полупроводников относят их к перспективным материалам электронной техники. Однако отсутствие достоверных сведений об атомной структуре аморфных материалов существенно препятствует расчёту их электронных состояний и электрофизических свойств. Решение поставленной проблемы даёт авторская методика фрактального моделирования аморфных структур. Методика позволила рассчитать трёхмерные координаты атомов модельного кластера аморфного кремния, методами квантовой химии установить спектр и плотность его электронных состояний и вычислить основные электрофизические свойства модельного кластера. При этом определены численные значения ширины запрещённой зоны, уровня Ферми и концентрации электронов в валентной зоне и зоне проводимости модельного кластера. Полученные результаты обеспечивают реальную возможность целенаправленного управления типом и концентрацией носителей заряда аморфного полупроводника и позволяют установить связь между атомным строением и другими физическими свойствами аморфного вещества, в частности, его теплоёмкостью, магнитной восприимчивостью и другими термодинамическими величинами.
Об авторах
Б. А. Голоденко
Воронеж. гос. ун-т. инж. технол.
Россия
Профессор
кафедра информационных и управляющих систем
тел. (473) 255-38-75
Россия
Профессор
кафедра информационных и управляющих систем
тел. (473) 255-38-75
А. Б. Голоденко
Воронеж. гос. ун-т. инж. технол.
Россия
к.ф.-м.н.
кафедра информационных и управляющих систем
Россия
к.ф.-м.н.
кафедра информационных и управляющих систем
Список литературы
1. Смит Р. Полупроводники: пер. с англ. М.: Мир, 1982. 560 с. Smith R. Poluprovodniki [Semiconductors]. Moscow, Mir, 1982. 560 p. (In Russ.).
2. Хамакавы Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. М.: Металлургия, 1986. 376 с. Hamakawa Y. Amorfnye poluprovodniki i pribory na ikh osnove [Amorphous semiconductors technologies & devices]. Moscow, Metallurgiia, 1986. 376 p. (In Russ.).
3. Бродски М. Аморфные полупроводники: пер. с англ. М.: Мир, 1982. 419 с. Brodski M. Amorfnye poluprovodniki [Amorphous semiconductors]. Moscow, Mir, 1982. 560 p. (In Russ.).
4. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах: в 2-х томах. М.: Мир, 1982. Т. 1. 368 с. Т. 2. 296 с. Mott N., Davis E. Elektronnye protsessy v nekristallicheskikh veshchestvakh [Electron processes in non-crystalline materials]. Moscow, Mir, 1982, vol. 1. 368 p. vol. 2. 296 p. (In Russ.).
5. Голоденко А. Б., Голоденко Б. А. Фрактальное моделирование механизма порождения аморфности тетраэдрической атомной структуры // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 11. С. 23-27. Golodenko A. B., Golodenko B. A. Fractal modeling the mechanism of generation amorphous tetrahedral nuclear structures. Nano- i mikrosistemnaia tekhnika. [Nano- and microsystems techniques], 2012, no. 11. pp. 23-27. (In Russ).
6. Терещенко О.Е., Костюрина А.Г. Определение ширины запрещённой зоны полупроводника: Описание лабораторной работы практикума по электричеству и магнетизму. Новосибирск: Новосибирский гос. ун-т, 2004. 26 с. Tereshchenko O.E., Kostiurina A.G. Opredelenie shiriny zarpeshchennoi zony poluprovodnika [Semiconductors forbidden zone width calculation: electricity and magnetism the laboratory task]. Novosibirsk, Novosibirskii gos. un-t, 2004. 26 p. (In Russ.).
7. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с. Shalimova K.V. Fisika poluprovodnikov [Semiconductors physics]. Мoscow, Energoatomizdat, 1985. 392 p. (In Russ.).
8. Кaрдона М., Петер Ю. Основы физики полупроводников: пер. с англ. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. 560 с Cardona M., Peter Y. Osnovy fiziki poluprovodnikov [Fundamentals of semiconductors physics and materials properties]. Мoscow, PHIZMATLIT, 2002. 560 p. (In Russ.).
Рецензия
Для цитирования:
Голоденко Б.А., Голоденко А.Б. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И РАСЧЁТ ОСНОВНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ. Вестник Воронежского государственного университета инженерных технологий. 2014;(2):65-70. https://doi.org/10.20914/2310-1202-2014-2-65-70
For citation:
Golodenko B.A., Golodenko A.B. AMORPHOUS SILICON ELECTRONIC STRUCTURE MODELING AND BASIC ELECTRO-PHYSICAL PARAMETERS CALCULATION. Proceedings of the Voronezh State University of Engineering Technologies. 2014;(2):65-70. (In Russ.) https://doi.org/10.20914/2310-1202-2014-2-65-70
Просмотров:
519
Послать статью по эл. почте 
Оставить комментарий 
