Для цитирования:

Голоденко Б.А., Голоденко А.Б. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И РАСЧЁТ ОСНОВНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ. Вестник Воронежского государственного университета инженерных технологий. 2014;(2):65-70. https://doi.org/10.20914/2310-1202-2014-2-65-70

For citation:

Golodenko B.A., Golodenko A.B. AMORPHOUS SILICON ELECTRONIC STRUCTURE MODELING AND BASIC ELECTRO-PHYSICAL PARAMETERS CALCULATION. Proceedings of the Voronezh State University of Engineering Technologies. 2014;(2):65-70. (In Russ.) https://doi.org/10.20914/2310-1202-2014-2-65-70