КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ

Б. А. Голоденко; А. Б. Голоденко

doi:10.20914/2310-1202-2013-4-82-87

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ

Б. А. Голоденко, А. Б. Голоденко

https://doi.org/10.20914/2310-1202-2013-4-82-87

Полный текст:

Аннотация

Изложена методика компьютерного моделирования электронных свойств аморфного кремния на фрактальной модели его атомной структуры. В качестве основных результатов моделирования показана электронная структура, энергетические и спектральные характеристики модельного атомного кластера. Дана оценка и перспективы использования полученных результатов.

Ключ. слова

аморфный кремний, фрактальная модель, электронная структура, квантово-химическое моделирование,

Об авторах

Б. А. Голоденко

Воронежский государственный университет инженерных технологий
Россия
Профессор, кафедра информационных и управляющих систем

А. Б. Голоденко

Концерн «Созвездие»
Россия
Начальник сектора

Список литературы

1. Голоденко, А.Б. Фрактальное моделирование атомной структуры аморфного кремния на основе систем итерированных функций [Текст] / А.Б. Голоденко // Инженерная физика. – 2009. № 8. – С. 27-30.

2. Голоденко, А. Б. Фрактальное моделирование механизма порождения аморфности тетраэдрической атомной структуры [Текст] / А.Б. Голоденко, Б.А. Голоденко // Нанои микросистемная техника. – 2012. №11.–С. 23-27.

3. Голоденко, А.Б. Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния [Текст] / А.Б. Голоденко // Физика и техника полупроводников. – 2010. – Т. 44. – В. 1. – С. 87-91.

4. Голоденко, Б.А. Тензорный подход к исследованию и моделированию систем [Текст] / Б.А. Голоденко // Вестник ВГТА. Серия: Информационные технологии, моделирование и управление. – 2008. № 2 (36). – С. 50-55.

Дополнительные файлы

Для цитирования: Голоденко Б.А., Голоденко А.Б. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ. Вестник Воронежского государственного университета инженерных технологий. 2013;(4):82-87. https://doi.org/10.20914/2310-1202-2013-4-82-87

For citation: Golodenko B.A., Golodenko A.B. COMPUTER MODELING OF THE ELECTRONIC PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON. Proceedings of the Voronezh State University of Engineering Technologies. 2013;(4):82-87. (In Russ.) https://doi.org/10.20914/2310-1202-2013-4-82-87

Обратные ссылки

Обратные ссылки не определены.

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 2226-910X (Print)
ISSN 2310-1202 (Online)

Логин
Пароль