Для цитирования: Голоденко Б.А., Голоденко А.Б. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ. Вестник Воронежского государственного университета инженерных технологий. 2013;(4):82-87. https://doi.org/10.20914/2310-1202-2013-4-82-87

For citation: Golodenko B.A., Golodenko A.B. COMPUTER MODELING OF THE ELECTRONIC PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON. Proceedings of the Voronezh State University of Engineering Technologies. 2013;(4):82-87. (In Russ.) https://doi.org/10.20914/2310-1202-2013-4-82-87

Просмотров: 116

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2226-910X (Print)
ISSN 2310-1202 (Online)