Для цитирования:

Голоденко Б.А., Голоденко А.Б. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ. Вестник Воронежского государственного университета инженерных технологий. 2013;(4):82-87. https://doi.org/10.20914/2310-1202-2013-4-82-87

For citation:

Golodenko B.A., Golodenko A.B. COMPUTER MODELING OF THE ELECTRONIC PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON. Proceedings of the Voronezh State University of Engineering Technologies. 2013;(4):82-87. (In Russ.) https://doi.org/10.20914/2310-1202-2013-4-82-87